真空测试腔

                  应用场景:主要用于半导体或光电材料的研究。

   工作机制:电子東轰击晶体样品时，产生电子-空穴对。如果样品中存在内建电场(如 pn 结、肖特基结等)，这些载流子会被电场分离并产生电流。

研究内容:

品体内部的缺陷分布(缺陷会导致载流子复合，降低电流信号)。

界面特性(如 pn 结、金属-半导体肖特基结)。

材料的载流子扩散长度、寿命等参数。

(2)电流-电压(1-V)特性测试

应用场景:测试晶体的导电性或界面电学特性。

工作机制:在电子束作用下，测量通过晶体的电流响应，分析晶体的导电特性

研究内容 :

晶体的电阻率或导电性，

通过外加电场或电子東调控的电流变化。

(3)电子东感应电导(EBICD)

应用场景:研究晶体的表面电导性或局部导电性

工作机制:电子束诱发的载流子不仅会产生电流，还可能影响晶体的局部导电性。通过扫描电子束，可以绘制晶体局部的导电性分布。

(4)缺陷或局部电学特性分析

应用场景:研究晶体中的位错、空位、晶界等缺陷。

工作机制:缺陷区域会影响载流子的迁移和复合行为，导致诱导电流的变化。电子東扫描不同区域时电流信号的不均匀性可以反映晶体缺陷的分布，

测试的应用领域

(1)半导体材料

测试 pn 结、肖特基结的电学性质,

测量载流子扩散长度、寿命和复合行为。

(2)光电材料

分析太阳能电池中的缺陷分布和载流子迁移特性。

研究光电转换材料的局部电学响应。

(3)晶体缺陷分析

缺陷处的电学响应通常与正常区域不同，可用于定位和分析晶体中的位错、空位、晶界等。

(4)电学器件开发

优化晶体材料的电学性能，用于电子器件、光电器件设计。

4.电子枪电压对测试的影响

电压越高:电子束的能量越高，穿透深度越大，可测试晶体的深层电学特性

电压越低:电子束能量较低，主要作用于晶体表面，适合研究表面或浅层区域的电学性质